Цель

Организация высокотехнологичного производства полупроводниковых приборов силовой электроники нового поколения на основе создания базовой технологии изготовления структур «кремний на молибдене» с использованием низкотемпературных соединений с высокими электрическими и термомеханическими свойствами.

Уникальность

Работы по тематике проекта успешно ведутся в Германии, Швейцарии, США, Великобритании, Японии, Италии и др. Указанная работа в России проводится впервые. Организованное в рамках проекта высокотехнологичное производство полупроводниковых приборов силовой электроники нового поколения для энергоэффективных и ресурсосберегающих технологий силовой электротехники, имеет системообразующее значение для ускоренного развития и модернизации экономики России. Разрабатываемая продукция будет сравнима с уровнем аналогичной продукции мировых конкурентов

Разработана базовая технология изготовления структур «кремний на молибдене» с использованием низкотемпературных соединений на основе серебросодержащих паст, освоено промышленное производство полупроводниковых приборов силовой электроники нового поколения на основе структур «кремний на молибдене», с улучшенными электрическими и термомеханическими свойствами.

В результате выполнения проекта, разработанные полупроводниковые приборы силовой электроники нового поколения соответствуют следующим требованиям:

• повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение – 200 ÷ 10000 В;
• максимально допустимый средний ток в открытом состоянии – 630 ÷ 12500 А;
• ударный ток – 10 ÷ 120 кА;
• коммутируемый импульсный рабочий ток – 60 ÷ 500 кА;
• рабочий ресурс силовых полупроводниковых приборов будет увеличен с 12 – 15 лет до 30 – 50 лет.