№ соглашения 02.G25.31.0059
Проект
Разработка технологии изготовления микросхем со встроенной энергонезависимой памятью с минимальными топологическими размерами 90 нм и освоение производства серии СБИС для смарт-карт на её основе.
Получатель
субсидии
ПАО «Микрон»
г. Москва
Головной
исполнитель
НИОКТР
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
г. Москва
Начало проекта
2013
Стадия проекта
Завершен
Отрасль
Электронная промышленность и микроэлектроника
О проекте

Цель

Разработка технологии КМОП со встроенной энергонезависимой памятью с проектными нормами 90нм и интеграцию её в технологический процесс АО «Микрон».

Уникальность

Разрабатываемая технология позволяет реализовывать приложения с большими объёмами массивов энергонезависимой памяти в условиях ограничений по размеру кристалла СБИС, исходящих, например, из стандартов на чип-модуль для смарт-карт. В отечественной индустрии подобных проектов нет.

Результаты

Созданная в проекте и опробованная на разработанной SIM СБИС технология, нашла применение в производстве и других изделий, нацеленных на реализацию на внутреннем рынке. После квалификации технологии инициированы новые проекты запущены новые продукты, такие как платёжные приложения и иные документально-идентификационные продукты (например, банковская карта, водительское удостоверение и другие).