Цель

Разработка карбидкремниевой 3D и планарной технологий изготовления мощных высоковольтных полупроводниковых приборов, обеспечивающих экспортный потенциал, импортонезависимость и импортозамещение путем развития кооперации высших учебных заведений, государственных научных учреждений и производственных предприятий.

Уникальность

Разработка и внедрение 3D и планарной SiC технологий входит в перечень важнейших инновационных научно-исследовательских разработок, рекомендуемых к реализации в рамках ФЦП Министерства образования и науки РФ и Министерства промышленности и торговли РФ в соответствии со стратегией развития современной электронной компонентной базы на 2014 - 2020 годы и на перспективу до 2030 года.

На сегодняшний день лимитирующими факторами, тормозящими дальнейшее развитие 3D и планарной SiC технологий, является - проблема отсутствия ширикозонных материалов, технологического и испытательного оборудования и технических производств. Решение этих проблем позволит создать перспективную ЭКБ и радиоэлектронную аппаратуру, сделав ее более функциональной, высокопроизводительной, микроминиатюрной, чем мировые аналоги.

В ходе выполнения комплексного проекта созданы следующие научно-технические и технологические результаты:

• Карбидкремниевая планарная технология производства мощных высоковольтных карбидкремниевых диодов Шоттки (2D SiC технология).
• Карбидкремниевая 3D технология производства мощных высоковольтных карбидкремниевых МОП-транзисторов (3D SiC технология).
• Специализированное технологическое производство, реализующее разработанные 3D SiC и 2D SiC технологии для серийного выпуска силовых полупроводниковых приборов