№ соглашения 075-11-2023-008
Проект
Интегральные микросхемы преобразователей аналоговых сигналов в металлополимерных корпусных исполнениях разных типов: разработка и освоение технологии, замещение импортных аналогов и организация серийного производства
![](/local/templates/pp218/img/back-project5.png)
Получатель
субсидии
субсидии
АО «Группа Кремний Эл»
Брянская область
Головной
исполнитель
НИОКТР
исполнитель
НИОКТР
Брянский государственный технический университет
Брянская область
Начало проекта
2023
Стадия проекта
![](/upload/medialibrary/849/e4o6vcnmk3lq12wwblgpsdju994ov76o/НИОКТР.png)
НИОКТР
Отрасль
![](/upload/resize_cache/medialibrary/c42/uz97gez5hbdi4jnhuind0we9q0th8z36/90_90_1/82. Электронная промышленность и микроэлектроника.png)
Электронная промышленность и микроэлектроника
О проекте
Цель
Создать высокотехнологичное производство для серийного освоения новой продукции - интегральные микросхемы преобразователей аналоговых сигналов в металлополимерных корпусных исполнениях разных типов, которое отвечает требованиям и принципам построения нового поколения преобразовательной техники, в том числе миниатюризированной.
Уникальность
Новизна технических и технологических решений предопределена решением задач импортозамещения, при этом эти задачи сформированы практически на всех уровнях производства разрабатываемых интегральных микросхем преобразователей аналоговых сигналов в металлополимерных корпусных исполнениях разных типов:
- разработка и производство отечественных кремниевых кристаллов микросхем с минимальными проектными нормами, гарантирующими необходимо-минимальные габариты для возможности использования корпусов SOT-23-5, SO-8, TO-220, TO-263, TO-92 и TO-252;
- разработка и освоение новых перспективных технологических маршрутов классификации и испытаний приборов, в частности, с целью повышение радиационной стойкости разрабатываемых изделий;
- разработка аппаратно-программного комплекса для исследования и реверс-инжиниринга интегральных микросхем (КИРИ), позволяющего проводить:
- послойный анализ структуры и топологии ИС с целью восстановления последовательности технологического маршрута изготовления;
- определение количества активных и пассивных элементов электрической схемы ИС;
- определение методов изоляции и способов защит;
- определение конструктивно-технологических решений элементов ИС;
- определение методов оптимизации топологии ИС;
- измерение электрических параметров и характеристик ИС;
- анализ и идентификацию причин, приведших к отказу ИС.
Результаты на 30.06.2024
- Изготовлен аппаратно-программный комплекс для исследования и реверс-инжиниринга интегральных микросхем (далее - КИРИ)
- Проведены экспериментальные исследования радиационной стойкости макетов изделий всех типов с использованием КИРИ и подготовлена материально-техническая база для проведения предварительных испытаний изделий всех типов
- Разработаны комплекты технической документации (РКД и РТД) для изготовления опытной партии изделий всех типов