Цель

Разработка технологии и технологическая подготовка к производству кристаллов транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на подложке кремния диаметром 150 мм для силовых преобразовательных модулей.

Уникальность

Ключевые преимуществами транзисторов на GaN являются:

• Сохранение работоспособности при высокой температуре.
• Возможность работы при высоком напряжении.
• Возможность работы с очень высокой частотой.
• Работа в условиях радиации.

• Создана производственная линия изготовления элементной базы по технологии GaN-Si на пластинах диаметром 150 мм.
• Номенклатура запущенных в производство силовых транзисторов характеризуется диапазоном пробивных напряжений до 650 В и током до 40 А. Возможности транзисторов и усилителей СВЧ-диапазона позволяют реализовать диапазон усиления в полосе до 6 ГГц с мощностью до 10 Вт.
• Проводится комплекс работ, направленных на разработку PDK и библиотек стандартных элементов для возможности использования производства в режиме Foundry для широкого круга разработчиков.
• Проект перешел в стадию коммерциализации.
• Ведутся работы по расширению рынка сбыта и привлечения отраслевых заказчиков.