субсидии
исполнитель
НИОКТР
Цель
Разработка и освоение технологий эпитаксиального выращивания светодиодных гетероструктур и изготовления светодиодных чипов и белых светодиодов на их основе.
Уникальность
Предусматривается в полтора-два раза повысить плотность рабочего тока, эффективность излучения и светоотдачу светодиодных чипов по сравнению с существующим уровнем, что позволит выйти на уровень лучших мировых образцов.
В рамках проекта к разработке запланированы технологические процессы выращивания светодиодных гетероструктур с высокой квантовой эффективностью при больших плотностях рабочих токов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и изготовления светодиодных чипов на различных исходных подложечных материалах, включая темплэйты и сапфировые подложки.
Разработанные по проекту конструкция и технология изготовления чипов внедрены в производство и используются при серийном изготовлении светодиодов и других твердотельных источников света (светодиодные матрицы, светодиодные платы и т.п.)
По результатам проекта планируется выпуск не менее 10 млн. чипов в месяц для мощных светодиодов белого света. Из такого количества чипов может быть изготовлено не менее 250 000 светильников в месяц или 3 млн. светильников в год из расчета 40 светодиодов на светильник.
Использование таких светильников для промышленного освещения даст экономию в устанавливаемой и присоединяемой мощности не менее 330 МВт и в расходах на освещение - до 16 млрд. руб. в год.