Цель

Разработка и организация серийного выпуска электронных твердотельных компонентов на гетероструктурах GaN.

Уникальность

По совокупности характеристик создаваемые светодиоды на основе нитридгаллиевых гетероструктур и гетероструктурные СВЧ транзисторы C- и Х диапазонов соответствуют продукции ведущих мировых производителей и производятся в России впервые. В разработанных транзисторах коллапс тока отсутствует, характеристики отличаются высокой стабильностью, получены высокая подвижность носителей и малое сопротивление омических контактов, что обеспечивает высокие рабочие частоты (Х- диапазон).

Для получения светодиодного кристалла с высокими рабочими характеристиками: коэффициентом вывода излучения, тепловым сопротивлением, напряжением, используются технологические операции не имеющие широкого применения и впервые использованные при производстве светодиодов.

Для создания вертикальных структур впервые использована технология отделения сапфировой подложки от GaN-гетероструктур.

С целью увеличения вывода излучения из структуры впервые использована технология создания отражающего контакта с высоким коэффициентом отражения и создания микрорельефа на поверхности нитрида галлия.

Проведена оптимизация ключевых технологических процессов изготовления полупроводниковых структур и их монтажа в корпус, внедрены новые методы обработки изделий, намечены перспективные направления дальнейшего взаимодействия для оптимизации текущей технологии изготовления изделий и их конструктивных решений.

Специалистами АО «ГЗ «Пульсар» проводятся ознакомительные лекции для студентов НИЯУ МИФИ с демонстрацией технологических процессов на производственных участках предприятия.

В целях развития и проведения фундаментальных и прикладных НИР в области исследований перспективных широкозонных полупроводниковых материалов и приборов на их основе АО «ГЗ «Пульсар» с привлечением НИЯУ МИФИ проводятся НИР «Исследование процессов и явлений наноструктурирования НЕМТs с использованием лазерного генератора изображений» и НИР « Исследование формирования гетероструктур на основе нитрита галлия на подложках кремния для синергии нитридной и кремневой электроники».

По результатам стажировки молодые специалисты АО «ГЗ «Пульсар» проходят обучение в аспирантуре НИЯУ МИФИ.